STMicroelectronics 與英諾賽科（Innoscience）簽署氮化鎵（GaN）技術開發與製造合作協議（JDA）

2025 年 4 月 1 日
日內瓦與蘇州

意法半導體（STMicroelectronics，NYSE: STM），一家全球領先、服務各類電子應用市場的半導體公司，與英諾賽科（Innoscience，HKEX: 02577.HK），全球領先的 8 吋矽基氮化鎵（GaN-on-Si）高性能、低成本製造商，宣布簽署氮化鎵技術開發與製造的合作協議（Joint Development Agreement, JDA）。雙方將結合各自優勢，共同強化 GaN 電力解決方案與供應鏈韌性。

合作重點包括：

• 雙方將共同開發 GaN 功率技術，應用於消費性電子、資料中心、汽車與工業電源系統等未來關鍵領域。
• 根據協議，英諾賽科將可使用 ST 在歐洲的前段製造產能進行其 GaN 晶圓生產；同時 ST 也能利用英諾賽科在中國的產能生產自家 GaN 晶圓。
• 雙方的共同目標為擴展各自的 GaN 產品線，並透過靈活的供應鏈體系，滿足客戶在多樣應用領域的需求。

高層發言：

Marco Cassis（ST 意法半導體模擬、電源與離散元件、MEMS 與感測器事業群總裁）表示：

「ST 與 Innoscience 同為垂直整合元件製造商（IDM），透過本次協議，雙方將共同擴展全球客戶的服務範圍。ST 將加速其 GaN 技術路線圖，與既有的矽與碳化矽產品線互補；同時也能透過靈活的製造模式，提供全球性服務。」

羅偉偉博士（英諾賽科董事長兼創辦人）則說：

「氮化鎵技術對於提升電子系統效能至關重要，可打造更小、更高效的系統，節能、降本並減少碳排放。英諾賽科率先實現 8 吋 GaN 的量產，累積出貨已超過 10 億顆。此次與 ST 的戰略合作，將進一步推動 GaN 技術的大規模應用。我們將共同開發下一代氮化鎵技術。」

⚡ GaN 電力元件優勢：

GaN（氮化鎵）元件憑藉其材料特性，能在電源轉換、馬達控制與驅動領域創造全新效能標準，其低損耗特性使系統效率大幅提升，並讓產品更小、更輕、成本更低，同時也減少碳足跡。GaN 裝置目前已廣泛應用於消費性電子、資料中心、工業電源、太陽能逆變器，並積極導入於下一代電動車動力系統。

關於意法半導體 STMicroelectronics：

ST 擁有超過 5 萬名半導體創新者，掌握整條半導體供應鏈與先進製造能力。作為垂直整合製造商，我們與 20 萬名客戶與數千名合作夥伴合作，開發產品與解決方案，打造更永續的未來。ST 技術支持智慧移動、高效能源管理、大規模物聯網應用。我們計畫於 2027 年底達成所有電力使用 100% 再生能源，並實現範疇 1、2、3 的碳中和。詳情請見：www.st.com

關於英諾賽科 Innoscience：

英諾賽科（HKEX:02577.HK）是全球氮化鎵（GaN）技術創新與功率器件製造的領導者。公司在 GaN 設計與效能上制定國際標準，持續推動性能提升與市場普及。其 GaN 產品涵蓋 15V 到 1200V，應用於低、中、高壓多種領域，包括晶圓、分離元件、整合電源 IC 與模組等。英諾賽科擁有超過 800 項專利，產品廣泛應用於消費性電子、車用電子、資料中心、再生能源與工業電力市場。詳情請見：www.innoscience.com